FZT605TA - Diodes Incorporated

Numero di parte	FZT605TA
Stato parte	Active
Transistor Type	NPN - Darlington
Corrente - Collector (Ic) (Max)	1.5A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	120V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	1.5V @ 1mA, 1A
Corrente - Limite del collettore (max)	10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	2000 @ 1A, 5V
Potenza - Max	2W
Frequenza - Transizione	150MHz
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto / caso	TO-261-4, TO-261AA
Pacchetto dispositivo fornitore	SOT-223
Peso	-
Paese d'origine	-

Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
FZT1047A	KEXIN	NPN Silicon Planar Medium Power High Gain Transistor	Dettagli
FZT1047ATA	Diodes Incorporated	TRANS NPN 10V 5A SOT-223	Dettagli
FZT1047ATC	Diodes Incorporated	TRANS NPN 10V 5A SOT223	Dettagli
FZT1048A	KEXIN	NPN Silicon Planar Medium Power High Gain Transistor	Dettagli
FZT1048ATA	Diodes Incorporated	TRANS NPN 17.5V 5A SOT-223	Dettagli
FZT1048ATC	Diodes Incorporated	TRANS NPN 17.5V 5A SOT223	Dettagli
FZT1049A	KEXIN	NPN Silicon Planar Medium Power High Gain Transistor	Dettagli
FZT1049ATA	Diodes Incorporated	TRANS NPN 25V 5A SOT-223	Dettagli
FZT1049ATC	Diodes Incorporated	TRANS NPN 25V 5A SOT223	Dettagli
FZT1051A	KEXIN	NPN Silicon Planar Medium Power High Gain Transistor	Dettagli