FZT605TA - Diodes Incorporated

Numéro d'article	FZT605TA
État de la pièce	Active
Type de transistor	NPN - Darlington
Courant - Collecteur (Ic) (Max)	1.5A
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max)	120V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	1.5V @ 1mA, 1A
Courant - Coupure du collecteur (Max)	10µA
Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	2000 @ 1A, 5V
Puissance - Max	2W
Fréquence - Transition	150MHz
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Paquet / cas	TO-261-4, TO-261AA
Package de périphérique fournisseur	SOT-223
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
FZT1047A	KEXIN	NPN Silicon Planar Medium Power High Gain Transistor	Détails
FZT1047ATA	Diodes Incorporated	TRANS NPN 10V 5A SOT-223	Détails
FZT1047ATC	Diodes Incorporated	TRANS NPN 10V 5A SOT223	Détails
FZT1048A	KEXIN	NPN Silicon Planar Medium Power High Gain Transistor	Détails
FZT1048ATA	Diodes Incorporated	TRANS NPN 17.5V 5A SOT-223	Détails
FZT1048ATC	Diodes Incorporated	TRANS NPN 17.5V 5A SOT223	Détails
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FZT1049ATA	Diodes Incorporated	TRANS NPN 25V 5A SOT-223	Détails
FZT1049ATC	Diodes Incorporated	TRANS NPN 25V 5A SOT223	Détails
FZT1051A	KEXIN	NPN Silicon Planar Medium Power High Gain Transistor	Détails