DMT10H015LFG-7

DMT10H015LFG-7 - Diodes Incorporated

Numero di parte
DMT10H015LFG-7
fabbricante
Diodes Incorporated
Breve descrizione
MOSFET N-CH 100V 10A
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
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Categoria
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
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Codice data
New
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DMT10H015LFG-7 Descrizione dettagliata

Numero di parte DMT10H015LFG-7
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 10A (Ta), 42A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 6V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 33.3nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1871pF @ 50V
Vgs (massimo) ±20V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 2W (Ta), 35W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 13.5 mOhm @ 20A, 10V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore PowerDI3333-8
Pacchetto / caso 8-PowerWDFN
Peso -
Paese d'origine -

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