DMT10H015LCG-7 Descrizione dettagliata
Numero di parte |
DMT10H015LCG-7 |
Stato parte |
Active |
Tipo FET |
N-Channel |
Tecnologia |
MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) |
100V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C |
9.4A (Ta), 34A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) |
4.5V, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id |
3.5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs |
33.3nC @ 10V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds |
1871pF @ 50V |
Vgs (massimo) |
±20V |
Caratteristica FET |
- |
Dissipazione di potenza (max) |
1W (Ta) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs |
15 mOhm @ 20A, 10V |
temperatura di esercizio |
-55°C ~ 155°C (TJ) |
Tipo di montaggio |
Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore |
V-DFN3333-8 |
Pacchetto / caso |
8-VDFN Exposed Pad |
Peso |
- |
Paese d'origine |
- |
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