| Numero di parte | DMT10H015LCG-7 |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 9.4A (Ta), 34A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 33.3nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1871pF @ 50V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 1W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 15 mOhm @ 20A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 155°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | V-DFN3333-8 |
| Pacchetto / caso | 8-VDFN Exposed Pad |
| Peso | - |
| Paese d'origine | - |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | vista |
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DMT10H009LSS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS 61V-100V SO-8 TR | Dettagli |
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DMT10H009SSS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS 61V-100V SO-8 TR | Dettagli |
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DMT10H010LCT | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V TO220AB | Dettagli |
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DMT10H010LK3-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 68.8A TO252-3 | Dettagli |
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DMT10H010LPS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 9.4A | Dettagli |
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DMT10H010LSS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V SO-8 | Dettagli |
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DMT10H010SPS-13 | Diodes Incorporated | MOSFETN-CH 100VPOWERDI5060-8 | Dettagli |
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DMT10H014LSS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET NCH 100V 8.9A 8SO | Dettagli |
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DMT10H015LCG-13 | Diodes Incorporated | MOSFET NCH 100V 9.4A 8VDFN | Dettagli |
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DMT10H015LCG-7 | Diodes Incorporated | MOSFET NCH 100V 9.4A 8VDFN | Dettagli |
