Numero di parte | DMP2010UFG-7 |
---|---|
Stato parte | Active |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 12.7A (Ta), 42A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 2.5V, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.2V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 103nC @ 10V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 3350pF @ 10V |
Vgs (massimo) | ±10V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 900mW (Ta) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.5 mOhm @ 3.6A, 4.5V |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | PowerDI3333-8 |
Pacchetto / caso | 8-PowerWDFN |
Peso | - |
Paese d'origine | - |