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Casa › Categorie di Prodotto › Dispositivi a semiconduttore discreti › Transistor - FET, MOSFET - Singoli › DMN65D8LW-7
DMN65D8LW-7

DMN65D8LW-7 - Diodes Incorporated

Numero di parte
DMN65D8LW-7
fabbricante
Diodes Incorporated
Breve descrizione
MOSFET N-CH 60V 0.3A SOT323
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Vista online della scheda tecnica
DMN65D8LW-7 Navigazione online PDF
Scarica il PDF della scheda tecnica
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Categoria
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
Tempo di consegna
1 Day
Codice data
New
Quantità di stock
3930000 pcs
Prezzo di riferimento
USD 0.1499/pcs
Il nostro prezzo
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DMN65D8LW-7 Descrizione dettagliata

Numero di parte DMN65D8LW-7
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 300mA (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.87nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 22pF @ 25V
Vgs (massimo) ±20V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 300mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3 Ohm @ 115mA, 10V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore SOT-323
Pacchetto / caso SC-70, SOT-323
Peso -
Paese d'origine -

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