DMN63D8LV-7 - Diodes Incorporated

Numero di parte	DMN63D8LV-7
Stato parte	Active
Tipo FET	2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET	Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	260mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.8 Ohm @ 250mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	0.87nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	22pF @ 25V
Potenza - Max	450mW
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto / caso	SOT-563, SOT-666
Pacchetto dispositivo fornitore	SOT-563
Peso	-
Paese d'origine	-

Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
DMN600V	DIODES	DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR	Dettagli
DMN600V-7	DIODES	DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR	Dettagli
DMN6013LFG-13	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 60V 10.3A PWDI3333-8	Dettagli
DMN6013LFG-7	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 60V 10.3A PWDI3333-8	Dettagli
DMN6013LFGQ-13	Diodes Incorporated	MOSFET NCH 60V 10.3A POWERDI	Dettagli
DMN6013LFGQ-7	Diodes Incorporated	MOSFET NCH 60V 10.3A POWERDI	Dettagli
DMN6017SFV-7	Diodes Incorporated	MOSFET BVDSS 41V-60V POWERDI333	Dettagli
DMN6017SK3-13	Diodes Incorporated	MOSFET N-CHANNEL 60V 43A TO252	Dettagli
DMN601DMK	DIODES	DMN601DMK DIODES SOT163 New Original Stocks	Dettagli
DMN601DMK-7	Diodes Incorporated	MOSFET 2N-CH 60V 0.51A SOT26	Dettagli