DMN3900UFA-7B - Diodes Incorporated

Numero di parte	DMN3900UFA-7B
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	550mA (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	1.8V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	950mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	0.7nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	42.2pF @ 25V
Vgs (massimo)	±8V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	390mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	760 mOhm @ 200mA, 4.5V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	X2-DFN0806-3
Pacchetto / caso	3-XFDFN
Peso	-
Paese d'origine	-