DMN3900UFA-7B

DMN3900UFA-7B - Diodes Incorporated

Numero di parte
DMN3900UFA-7B
fabbricante
Diodes Incorporated
Breve descrizione
MOSFET N-CH 30V 0.55A DMN3900
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
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Categoria
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
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1 Day
Codice data
New
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Prezzo di riferimento
USD 0.1042/pcs
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DMN3900UFA-7B Descrizione dettagliata

Numero di parte DMN3900UFA-7B
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 550mA (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 1.8V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 950mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.7nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 42.2pF @ 25V
Vgs (massimo) ±8V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 390mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 760 mOhm @ 200mA, 4.5V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore X2-DFN0806-3
Pacchetto / caso 3-XFDFN
Peso -
Paese d'origine -

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