DMN3900UFA-7B - Diodes Incorporated

Número de pieza: DMN3900UFA-7B
Fabricante: Diodes Incorporated
Breve descripción: MOSFET N-CH 30V 0.55A DMN3900
Estado sin plomo / Estado RoHS: Sin plomo / Cumple con RoHS
Vista en línea de la hoja de datos: DMN3900UFA-7B Navegación en línea de PDF
Descargar hoja de datos en PDF: -
Categoría: Transistores - FET, MOSFET - Simple
El tiempo de entrega: 1 Day
Código de fecha: New
Cantidad de stock: 175000 pcs
Precio de referencia: USD 0.1042/pcs
Nuestro precio: Enviar por correo electrónico: [email protected]

Número de pieza	DMN3900UFA-7B
Estado de la pieza	Active
Tipo de FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)	30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	550mA (Ta)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados)	1.8V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	950mV @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	0.7nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	42.2pF @ 25V
Vgs (Max)	±8V
Característica FET	-
Disipación de potencia (Máx)	390mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	760 mOhm @ 200mA, 4.5V
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	X2-DFN0806-3
Paquete / caja	3-XFDFN
Peso	-
País de origen	-

Imagen	Número de pieza	Fabricantes	Descripción	Ver
	DMN3900UFA-7B	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 30V 0.55A DMN3900	Detalles