| Numero di parte | DMN3200U-7 |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 2.2A (Ta) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 1.5V, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 290pF @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±8V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 650mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 90 mOhm @ 2.2A, 4.5V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-23-3 |
| Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Peso | - |
| Paese d'origine | - |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | vista |
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DMN3005LK3 | DIODES | DMN3005LK3 DIODES TO252-.. New Original Stocks | Dettagli |
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DMN3005LK3-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 14.5A TO252-3L | Dettagli |
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DMN3007LSS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC | Dettagli |
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DMN3007LSSQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 25V 30V SO-8 | Dettagli |
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DMN3008SCP10-7 | Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 25V 30V X4-DSN3415 | Dettagli |
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DMN3008SFG-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 17.6A POWERDI | Dettagli |
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DMN3008SFG-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 17.6A POWERDI | Dettagli |
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DMN3008SFGQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFET NCH 30V 17.6A POWERDI | Dettagli |
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DMN3008SFGQ-7 | Diodes Incorporated | MOSFET NCH 30V 17.6A POWERDI | Dettagli |
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DMN3009LFV-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 60A POWERDI3333 | Dettagli |
