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Casa › Categorie di Prodotto › Dispositivi a semiconduttore discreti › Transistor - FET, MOSFET - Singoli › DMN3008SFGQ-7
DMN3008SFGQ-7

DMN3008SFGQ-7 - Diodes Incorporated

Numero di parte
DMN3008SFGQ-7
fabbricante
Diodes Incorporated
Breve descrizione
MOSFET NCH 30V 17.6A POWERDI
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Vista online della scheda tecnica
DMN3008SFGQ-7 Navigazione online PDF
Scarica il PDF della scheda tecnica
-
Categoria
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
Tempo di consegna
1 Day
Codice data
New
Quantità di stock
69402 pcs
Prezzo di riferimento
USD 0.3752/pcs
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DMN3008SFGQ-7 Descrizione dettagliata

Numero di parte DMN3008SFGQ-7
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 17.6A (Ta), 62A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 86nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 3690pF @ 10V
Vgs (massimo) ±20V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 900mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.4 mOhm @ 13.5A, 10V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore PowerDI3333-8
Pacchetto / caso 8-PowerVDFN
Peso -
Paese d'origine -

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