DMN3070SSN-7

DMN3070SSN-7 - Diodes Incorporated

Numero di parte
DMN3070SSN-7
fabbricante
Diodes Incorporated
Breve descrizione
MOSFET N-CH 30V 4.2A SC59
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
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Categoria
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
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1 Day
Codice data
New
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USD 0.1186/pcs
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DMN3070SSN-7 Descrizione dettagliata

Numero di parte DMN3070SSN-7
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 4.2A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 13.2nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 697pF @ 15V
Vgs (massimo) ±20V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 780mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 40 mOhm @ 4.2A, 10V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore SC-59
Pacchetto / caso TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Peso -
Paese d'origine -

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