DMN2100UDM-7 - Diodes Incorporated

Numero di parte	DMN2100UDM-7
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	3.3A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	1.5V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	-
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	555pF @ 10V
Vgs (massimo)	±8V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	55 mOhm @ 6A, 4.5V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	SOT-26
Pacchetto / caso	SOT-23-6
Peso	-
Paese d'origine	-

Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
DMN2004DMK	DIODES	DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR	Dettagli
DMN2004DMK-7	Diodes Incorporated	MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT-26	Dettagli
DMN2004DWK	DIODES	DMN2004DWK DIODES SOT363 New Original Stocks	Dettagli
DMN2004DWK-7	Diodes Incorporated	MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT-363	Dettagli
DMN2004DWKQ-7	Diodes Incorporated	MOSFET 2NCH 20V 540MA SOT363	Dettagli
DMN2004K	DIODES	DMN2004K DIODES SOT23 New Original Stocks	Dettagli
DMN2004K-7	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 20V 0.63A SOT23-3	Dettagli
DMN2004K-7-F	DIODESINCORPORATED	DMN2004K-7-F DIODESINCORPORATED SOT 23 New Original Stocks	Dettagli
DMN2004TK-7	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 20V 0.54A SOT-523	Dettagli
DMN2004VK	DIODES	DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR	Dettagli