DMN2100UDM-7 - Diodes Incorporated

Número de pieza	DMN2100UDM-7
Estado de la pieza	Active
Tipo de FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)	20V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	3.3A (Ta)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados)	1.5V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	-
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	555pF @ 10V
Vgs (Max)	±8V
Característica FET	-
Disipación de potencia (Máx)	1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	55 mOhm @ 6A, 4.5V
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	SOT-26
Paquete / caja	SOT-23-6
Peso	-
País de origen	-

Número de pieza	Fabricantes	Descripción	Ver
DMN2004DMK	DIODES	DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR	Detalles
DMN2004DMK-7	Diodes Incorporated	MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT-26	Detalles
DMN2004DWK	DIODES	DMN2004DWK DIODES SOT363 New Original Stocks	Detalles
DMN2004DWK-7	Diodes Incorporated	MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT-363	Detalles
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