| Numero di parte | DMG7430LFG-7 |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 10.5A (Ta) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 26.7nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1281pF @ 15V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 900mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11 mOhm @ 20A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PowerDI3333-8 |
| Pacchetto / caso | 8-PowerWDFN |
| Peso | - |
| Paese d'origine | - |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | vista |
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DMG7401SFG-13 | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 30V POWERDI3333-8 | Dettagli |
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DMG7401SFG-7 | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 30V 9.8A POWERDI3333 | Dettagli |
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DMG7401SFGQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 30V 9.8A POWERDI3333 | Dettagli |
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DMG7401SFGQ-7 | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 30V 9.8A PWRDI3333-8 | Dettagli |
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DMG7408SFG-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 7A POWERDI | Dettagli |
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DMG7430LFG-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 10.5A PWRDI3333 | Dettagli |
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DMG7702SFG-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 12A POWERDI | Dettagli |
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DMG7702SFG-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 12A PWRDI3333-8 | Dettagli |
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DMG7N65SCT | Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 501V 650V TO220AB | Dettagli |
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DMG7N65SCTI | Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 501V 650V ITO-220A | Dettagli |
