DMG7401SFGQ-13

DMG7401SFGQ-13 - Diodes Incorporated

Numero di parte
DMG7401SFGQ-13
fabbricante
Diodes Incorporated
Breve descrizione
MOSFET P-CH 30V 9.8A POWERDI3333
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
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Categoria
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
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Codice data
New
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USD 0.2501/pcs
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DMG7401SFGQ-13 Descrizione dettagliata

Numero di parte DMG7401SFGQ-13
Stato parte Active
Tipo FET P-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 9.8A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 4.5V, 20V
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 58nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2987pF @ 15V
Vgs (massimo) ±25V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 940mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 11 mOhm @ 12A, 20V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore PowerDI3333-8
Pacchetto / caso 8-PowerWDFN
Peso -
Paese d'origine -

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