DMC25D0UVT-13 - Diodes Incorporated

Numero di parte	DMC25D0UVT-13
Stato parte	Active
Tipo FET	N and P-Channel
Caratteristica FET	Standard
Drain to Source Voltage (Vdss)	25V, 30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	400mA, 3.2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4 Ohm @ 400mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	0.7nC @ 8V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	26.2pF @ 10V
Potenza - Max	1.2W
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto / caso	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Pacchetto dispositivo fornitore	TSOT-26
Peso	-
Paese d'origine	-

Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
DMC25D0UVT-13	Diodes Incorporated	MOSFET N/P-CH 25V/30V TSOT26	Dettagli
DMC25D0UVT-7	Diodes Incorporated	MOSFET N/P-CH 25V/30V TSOT26	Dettagli
DMC25D1UVT-13	Diodes Incorporated	MOSFET N/P-CH 25V/12V TSOT26	Dettagli
DMC25D1UVT-7	Diodes Incorporated	MOSFET N/P-CH 25V/12V TSOT26	Dettagli