DMC25D0UVT-13 - Diodes Incorporated

Artikelnummer	DMC25D0UVT-13
Teilstatus	Active
FET Typ	N and P-Channel
FET-Eigenschaft	Standard
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	25V, 30V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	400mA, 3.2A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	4 Ohm @ 400mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.5V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	0.7nC @ 8V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	26.2pF @ 10V
Leistung max	1.2W
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Paket / Fall	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Lieferantengerätepaket	TSOT-26
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
DMC25D0UVT-13	Diodes Incorporated	MOSFET N/P-CH 25V/30V TSOT26	Einzelheiten
DMC25D0UVT-7	Diodes Incorporated	MOSFET N/P-CH 25V/30V TSOT26	Einzelheiten
DMC25D1UVT-13	Diodes Incorporated	MOSFET N/P-CH 25V/12V TSOT26	Einzelheiten
DMC25D1UVT-7	Diodes Incorporated	MOSFET N/P-CH 25V/12V TSOT26	Einzelheiten