CPMF-1200-S080B - Cree/Wolfspeed

Numero di parte	CPMF-1200-S080B
Stato parte	Obsolete
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	SiCFET (Silicon Carbide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	1200V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	50A (Tj)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	20V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	90.8nC @ 20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	1915pF @ 800V
Vgs (massimo)	+25V, -5V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	313mW (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	110 mOhm @ 20A, 20V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	Die
Pacchetto / caso	Die
Peso	-
Paese d'origine	-

Immagine	Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
	CPMF-1200-S080B	Cree/Wolfspeed	MOSFET N-CH SICFET 1200V 50A DIE	Dettagli
	CPMF-1200-S160B	Cree/Wolfspeed	MOSFET N-CH SICFET 1200V 28A DIE	Dettagli