CPMF-1200-S080B - Cree/Wolfspeed

Numéro d'article	CPMF-1200-S080B
État de la pièce	Obsolete
FET Type	N-Channel
La technologie	SiCFET (Silicon Carbide)
Drain à la tension de source (Vdss)	1200V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	50A (Tj)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	20V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	90.8nC @ 20V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1915pF @ 800V
Vgs (Max)	+25V, -5V
FET Caractéristique	-
Dissipation de puissance (Max)	313mW (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	110 mOhm @ 20A, 20V
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de périphérique fournisseur	Die
Paquet / cas	Die
Poids	-
Pays d'origine	-

Image	Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
	CPMF-1200-S080B	Cree/Wolfspeed	MOSFET N-CH SICFET 1200V 50A DIE	Détails
	CPMF-1200-S160B	Cree/Wolfspeed	MOSFET N-CH SICFET 1200V 28A DIE	Détails