C3M0120090J-TR Descrizione dettagliata
Numero di parte |
C3M0120090J-TR |
Stato parte |
Active |
Tipo FET |
N-Channel |
Tecnologia |
SiCFET (Silicon Carbide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) |
900V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C |
22A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) |
15V |
Vgs (th) (Max) @ Id |
3.5V @ 3mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs |
17.3nC @ 15V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds |
350pF @ 600V |
Vgs (massimo) |
+18V, -8V |
Caratteristica FET |
- |
Dissipazione di potenza (max) |
83W (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs |
155 mOhm @ 15A, 15V |
temperatura di esercizio |
-55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio |
Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore |
D2PAK-7 |
Pacchetto / caso |
TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA |
Peso |
- |
Paese d'origine |
- |
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