CDBGBSC101200-G - Comchip Technology

Numero di parte	CDBGBSC101200-G
Stato parte	Active
Configurazione diodi	1 Pair Common Cathode
Tipo diodo	Silicon Carbide Schottky
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max)	1200V
Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)	18A (DC)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If	1.7V @ 5A
Velocità	No Recovery Time > 500mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr)	0ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr	100µA @ 1200V
Temperatura operativa - Giunzione	-55°C ~ 175°C
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto / caso	TO-247-3
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-247
Peso	-
Paese d'origine	-

Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
CDBGBSC101200-G	Comchip Technology	DIODE DUAL SILICON CARBIDE POWER	Dettagli
CDBGBSC201200-G	Comchip Technology	DIODE DUAL SILICON CARBIDE POWER	Dettagli
CDBGBSC20650-G	Comchip Technology	DIODE DUAL SILICON CARBIDE POWER	Dettagli