CDBGBSC101200-G - Comchip Technology

Número de pieza: CDBGBSC101200-G
Fabricante: Comchip Technology
Breve descripción: DIODE DUAL SILICON CARBIDE POWER
Estado sin plomo / Estado RoHS: Sin plomo / Cumple con RoHS
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Categoría: Diodos - Rectificadores - Arreglos
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Código de fecha: New
Cantidad de stock: 23580 pcs
Precio de referencia: USD 6.9825/pcs
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Número de pieza	CDBGBSC101200-G
Estado de la pieza	Active
Configuración de Diodo	1 Pair Common Cathode
Tipo de diodo	Silicon Carbide Schottky
Voltaje - DC Reverse (Vr) (Max)	1200V
Corriente - Rectificado promedio (Io) (por diodo)	18A (DC)
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si	1.7V @ 5A
Velocidad	No Recovery Time > 500mA (Io)
Tiempo de recuperación inversa (trr)	0ns
Current - Reverse Leakage @ Vr	100µA @ 1200V
Temperatura de funcionamiento - unión	-55°C ~ 175°C
Tipo de montaje	Through Hole
Paquete / caja	TO-247-3
Paquete de dispositivo del proveedor	TO-247
Peso	-
País de origen	-

Número de pieza	Fabricantes	Descripción	Ver
CDBGBSC101200-G	Comchip Technology	DIODE DUAL SILICON CARBIDE POWER	Detalles
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