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Casa › Categorie di Prodotto › Dispositivi a semiconduttore discreti › Diodi - Raddrizzatori - Singoli › CDBDSC5650-G
CDBDSC5650-G

CDBDSC5650-G - Comchip Technology

Numero di parte
CDBDSC5650-G
fabbricante
Comchip Technology
Breve descrizione
DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Vista online della scheda tecnica
CDBDSC5650-G Navigazione online PDF
Scarica il PDF della scheda tecnica
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Categoria
Diodi - Raddrizzatori - Singoli
Tempo di consegna
1 Day
Codice data
New
Quantità di stock
73177 pcs
Prezzo di riferimento
USD 2.25/pcs
Il nostro prezzo
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CDBDSC5650-G Descrizione dettagliata

Numero di parte CDBDSC5650-G
Stato parte Active
Tipo diodo Silicon Carbide Schottky
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) 650V
Corrente - Rettificato medio (Io) 21.5A (DC)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 1.7V @ 5A
Velocità No Recovery Time > 500mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr) 0ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr 100µA @ 650V
Capacità @ Vr, F 424pF @ 0V, 1MHz
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Pacchetto dispositivo fornitore D-PAK (TO-252)
Temperatura operativa - Giunzione -55°C ~ 175°C
Peso -
Paese d'origine -

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