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CDBDSC5650-G

CDBDSC5650-G - Comchip Technology

Numéro d'article
CDBDSC5650-G
Fabricant
Comchip Technology
Brève description
DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
CDBDSC5650-G Navigation PDF en ligne
Fiche technique PDF Download
-
Catégorie
Diodes - Redresseurs - Simples
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
73177 pcs
Prix ​​de référence
USD 2.25/pcs
Notre prix
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CDBDSC5650-G Description détaillée

Numéro d'article CDBDSC5650-G
État de la pièce Active
Type de diode Silicon Carbide Schottky
Tension - DC Reverse (Vr) (Max) 650V
Courant - Rectifié moyen (Io) 21.5A (DC)
Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si 1.7V @ 5A
La vitesse No Recovery Time > 500mA (Io)
Temps de récupération inverse (trr) 0ns
Courant - Fuite inverse @ Vr 100µA @ 650V
Capacitance @ Vr, F 424pF @ 0V, 1MHz
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Package de périphérique fournisseur D-PAK (TO-252)
Température de fonctionnement - Jonction -55°C ~ 175°C
Poids -
Pays d'origine -

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