VN0300L-G-P002 - Microchip Technology

Numero di parte	VN0300L-G-P002
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	640mA (Tj)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	-
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	190pF @ 20V
Vgs (massimo)	±30V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	1W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.2 Ohm @ 1A, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-92-3
Pacchetto / caso	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Peso	-
Paese d'origine	-

Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
VN0300L	ON Semiconductor	MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92	Dettagli
VN0300L-G	Microchip Technology	MOSFET N-CH 30V 640MA TO92-3	Dettagli
VN0300L-G-P002	Microchip Technology	MOSFET N-CH 30V 640MA TO92-3	Dettagli
VN0300LS	VISHAY	N-Channel 20-, 30-, 40-V (D-S) MOSFETs	Dettagli
VN0300M	EXSHINE	N-Channel Enhancement-Mode MOS Transistors	Dettagli