VN0300L-G-P002 - Microchip Technology

Numéro d'article	VN0300L-G-P002
État de la pièce	Active
FET Type	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss)	30V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	640mA (Tj)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	-
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	190pF @ 20V
Vgs (Max)	±30V
FET Caractéristique	-
Dissipation de puissance (Max)	1W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.2 Ohm @ 1A, 10V
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Package de périphérique fournisseur	TO-92-3
Paquet / cas	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
VN0300L	ON Semiconductor	MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92	Détails
VN0300L-G	Microchip Technology	MOSFET N-CH 30V 640MA TO92-3	Détails
VN0300L-G-P002	Microchip Technology	MOSFET N-CH 30V 640MA TO92-3	Détails
VN0300LS	VISHAY	N-Channel 20-, 30-, 40-V (D-S) MOSFETs	Détails
VN0300M	EXSHINE	N-Channel Enhancement-Mode MOS Transistors	Détails