TP2640LG-G - Microchip Technology

Numero di parte	TP2640LG-G
Stato parte	Active
Tipo FET	P-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	400V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	86mA (Tj)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	2.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	-
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	300pF @ 25V
Vgs (massimo)	±20V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	740mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	15 Ohm @ 300mA, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	8-SOIC
Pacchetto / caso	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Peso	-
Paese d'origine	-

Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
TP2635N3-G	Microchip Technology	MOSFET P-CH 350V 0.18A TO92-3	Dettagli
TP2640LG-G	Microchip Technology	MOSFET P-CH 400V 0.086A 8SOIC	Dettagli
TP2640N3-G	Microchip Technology	MOSFET P-CH 400V 0.18A TO92-3	Dettagli