TP2640LG-G - Microchip Technology

Artikelnummer	TP2640LG-G
Teilstatus	Active
FET Typ	P-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	400V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	86mA (Tj)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein)	2.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 1mA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	-
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	300pF @ 25V
Vgs (Max)	±20V
FET-Eigenschaft	-
Verlustleistung (Max)	740mW (Ta)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	15 Ohm @ 300mA, 10V
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Lieferantengerätepaket	8-SOIC
Paket / Fall	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
TP2635N3-G	Microchip Technology	MOSFET P-CH 350V 0.18A TO92-3	Einzelheiten
TP2640LG-G	Microchip Technology	MOSFET P-CH 400V 0.086A 8SOIC	Einzelheiten
TP2640N3-G	Microchip Technology	MOSFET P-CH 400V 0.18A TO92-3	Einzelheiten