AOSP21321 - Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Numero di parte	AOSP21321
Stato parte	Active
Tipo FET	P-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	11A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	17 mOhm @ 11A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	34nC @ 10V
Vgs (massimo)	±25V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	1180pF @ 15V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	3.1W (Ta)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	8-SOIC
Pacchetto / caso	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Peso	-
Paese d'origine	-

Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
AOS4407	AOS	AOS4407 AOS SOIC8 New Original Stocks	Dettagli
AOSC02-41-CN22-F01	ORIGINAL	AOSC02-41-CN22-F01 ORIGINAL SMD New Original Stocks	Dettagli
AOSD62666E	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	MOSFET 2 N-CH 60V 9.5A 8SOIC	Dettagli
AOSP21307	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	MOSFET P-CH 30V 14A 8SOIC	Dettagli
AOSP21321	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	MOSFET P-CH 30V 8SOIC	Dettagli
AOSP21357	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	MOSFET P-CH 30V 16A 8SOIC	Dettagli
AOSP32314	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	MOSFET N CH 30V 8SOIC	Dettagli