| Numero di parte | AON6411 |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | P-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 47A (Ta), 85A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 2.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.3V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 330nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 10290pF @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±12V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 7.3W (Ta), 156W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.1 mOhm @ 20A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 8-DFN (5x6) |
| Pacchetto / caso | 8-PowerSMD, Flat Leads |
| Peso | - |
| Paese d'origine | - |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | vista |
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AON1605 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET P-CH 20V 0.7A 3DFN | Dettagli |
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AON1605_001 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET P-CH 20V 0.7A 3DFN | Dettagli |
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AON1606 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 20V 0.7A 3DFN | Dettagli |
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AON1606_001 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 20V 0.7A 3DFN | Dettagli |
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AON1610 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 20V 4A 6DFN | Dettagli |
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AON1611 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET P-CH 20V 4A 6DFN | Dettagli |
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AON1620 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 12V 4A 6DFN | Dettagli |
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AON1634 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 30V 4A 6DFN | Dettagli |
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AON2240 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 40V 8A 6DFN | Dettagli |
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AON2260 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N CH 60V 6A DFN 2x2B | Dettagli |
