AON6160 - Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Numero di parte	AON6160
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	100A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.58 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	120nC @ 10V
Vgs (massimo)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	7790pF @ 30V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	215W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	8-DFN-EP (5x6)
Pacchetto / caso	8-PowerSMD, Flat Leads
Peso	-
Paese d'origine	-

Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
AON1605	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	MOSFET P-CH 20V 0.7A 3DFN	Dettagli
AON1605_001	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	MOSFET P-CH 20V 0.7A 3DFN	Dettagli
AON1606	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	MOSFET N-CH 20V 0.7A 3DFN	Dettagli
AON1606_001	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	MOSFET N-CH 20V 0.7A 3DFN	Dettagli
AON1610	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	MOSFET N-CH 20V 4A 6DFN	Dettagli
AON1611	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	MOSFET P-CH 20V 4A 6DFN	Dettagli
AON1620	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	MOSFET N-CH 12V 4A 6DFN	Dettagli
AON1634	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	MOSFET N-CH 30V 4A 6DFN	Dettagli
AON2240	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	MOSFET N-CH 40V 8A 6DFN	Dettagli
AON2260	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	MOSFET N CH 60V 6A DFN 2x2B	Dettagli