| Numero di parte | AON5820_101 |
|---|---|
| Stato parte | Obsolete |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) Common Drain |
| Caratteristica FET | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 10A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.5 mOhm @ 10A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15nC @ 4.5V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1510pF @ 10V |
| Potenza - Max | 1.7W |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / caso | 6-SMD, Flat Lead Exposed Pad |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 6-DFN (2x5) |
| Peso | - |
| Paese d'origine | - |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
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AON5820 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET 2N-CH 20V 10A 6DFN | Dettagli |
