AON5802B - Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Numero di parte	AON5802B
Stato parte	Active
Tipo FET	2 N-Channel (Dual) Common Drain
Caratteristica FET	Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	7.2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	19 mOhm @ 7A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	24nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	1150pF @ 15V
Potenza - Max	1.6W
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto / caso	6-SMD, Flat Lead Exposed Pad
Pacchetto dispositivo fornitore	6-DFN-EP (2x5)
Peso	-
Paese d'origine	-

Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
AON1605	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	MOSFET P-CH 20V 0.7A 3DFN	Dettagli
AON1605_001	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	MOSFET P-CH 20V 0.7A 3DFN	Dettagli
AON1606	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	MOSFET N-CH 20V 0.7A 3DFN	Dettagli
AON1606_001	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	MOSFET N-CH 20V 0.7A 3DFN	Dettagli
AON1610	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	MOSFET N-CH 20V 4A 6DFN	Dettagli
AON1611	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	MOSFET P-CH 20V 4A 6DFN	Dettagli
AON1620	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	MOSFET N-CH 12V 4A 6DFN	Dettagli
AON1634	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	MOSFET N-CH 30V 4A 6DFN	Dettagli
AON2240	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	MOSFET N-CH 40V 8A 6DFN	Dettagli
AON2260	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	MOSFET N CH 60V 6A DFN 2x2B	Dettagli