AO5803E - Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Numero di parte	AO5803E
Stato parte	Obsolete
Tipo FET	2 P-Channel (Dual)
Caratteristica FET	Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)	20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	800 mOhm @ 600mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	900mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	-
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	100pF @ 10V
Potenza - Max	400mW
temperatura di esercizio	-50°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto / caso	SOT-563, SOT-666
Pacchetto dispositivo fornitore	SC-89-6
Peso	-
Paese d'origine	-

Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
AO5401E	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	MOSFET P-CH 20V 0.5A SC89-3L	Dettagli
AO5401EL	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	MOSFET P-CH 20V 0.5A SC89-3L	Dettagli
AO5404E	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	MOSFET N-CH 20V 0.5A SC89-3L	Dettagli
AO5404EL	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	MOSFET N-CH SC89-3	Dettagli
AO5404E_001	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	MOSFET N-CH SC89-3	Dettagli
AO5600E	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	MOSFET N/P-CH 20V SC89-6L	Dettagli
AO5600EL	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	MOSFET N/P-CH 20V SC89-6L	Dettagli
AO5800E	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	MOSFET 2N-CH 60V 0.4A SC89-6L	Dettagli
AO5803E	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	MOSFET 2P-CH 20V 0.6A SC89-6L	Dettagli
AO5804E	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	MOSFET 2N-CH 20V 0.5A SC89-6L	Dettagli