AO5404E_001 - Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Numero di parte	AO5404E_001
Stato parte	Last Time Buy
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	500mA (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	1.8V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	1nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	45pF @ 10V
Vgs (massimo)	±8V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	280mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	550 mOhm @ 500mA, 4.5V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	SC-89-3
Pacchetto / caso	SC-89, SOT-490
Peso	-
Paese d'origine	-

Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
AO5401E	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	MOSFET P-CH 20V 0.5A SC89-3L	Dettagli
AO5401EL	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	MOSFET P-CH 20V 0.5A SC89-3L	Dettagli
AO5404E	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	MOSFET N-CH 20V 0.5A SC89-3L	Dettagli
AO5404EL	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	MOSFET N-CH SC89-3	Dettagli
AO5404E_001	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	MOSFET N-CH SC89-3	Dettagli