W987D2HBJX7E TR - Winbond Electronics

Numéro d'article	W987D2HBJX7E TR
État de la pièce	Active
Type de mémoire	Volatile
Format de la mémoire	DRAM
La technologie	SDRAM - Mobile LPSDR
Taille mémoire	128Mb (4M x 32)
Fréquence d'horloge	133MHz
Écrire un temps de cycle - Word, Page	15ns
Temps d'accès	5.4ns
Interface de mémoire	Parallel
Tension - Alimentation	1.7 V ~ 1.95 V
Température de fonctionnement	-25°C ~ 85°C (TC)
Type de montage	Surface Mount
Paquet / cas	90-TFBGA
Package de périphérique fournisseur	90-VFBGA (8x13)
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
W987D2HBJX6E	Winbond Electronics	IC SDRAM 128MBIT 166MHZ 90BGA	Détails
W987D2HBJX6E TR	Winbond Electronics	IC SDRAM 128MBIT 166MHZ 90BGA	Détails
W987D2HBJX6I	Winbond Electronics	IC SDRAM 128MBIT 166MHZ 90BGA	Détails
W987D2HBJX6I TR	Winbond Electronics	IC SDRAM 128MBIT 166MHZ 90BGA	Détails
W987D2HBJX7E	Winbond Electronics	IC SDRAM 128MBIT 133MHZ 90BGA	Détails
W987D2HBJX7E TR	Winbond Electronics	IC SDRAM 128MBIT 133MHZ 90BGA	Détails
W987D6HBGX6E	Winbond Electronics	IC SDRAM 128MBIT 166MHZ 54BGA	Détails
W987D6HBGX6E TR	Winbond Electronics	IC SDRAM 128MBIT 166MHZ 54BGA	Détails
W987D6HBGX6I	Winbond Electronics	IC SDRAM 128MBIT 166MHZ 54BGA	Détails
W987D6HBGX6I TR	Winbond Electronics	IC SDRAM 128MBIT 166MHZ 54BGA	Détails