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Zuhause › Produktkategorien › Integrierte Schaltungen (ICs) › Speicher › W987D2HBJX7E TR
W987D2HBJX7E TR

W987D2HBJX7E TR - Winbond Electronics

Artikelnummer
W987D2HBJX7E TR
Hersteller
Winbond Electronics
Kurze Beschreibung
IC SDRAM 128MBIT 133MHZ 90BGA
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
W987D2HBJX7E TR PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
W987D2HBJX7E TR.pdf
Kategorie
Speicher
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
12822 pcs
Referenzpreis
USD 2.0958/pcs
Unser Preis
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Bitte füllen Sie das folgende Formular aus, um ein Angebot für anzufordern W987D2HBJX7E TR

W987D2HBJX7E TR detaillierte Beschreibung

Artikelnummer W987D2HBJX7E TR
Teilstatus Active
Speichertyp Volatile
Speicherformat DRAM
Technologie SDRAM - Mobile LPSDR
Speichergröße 128Mb (4M x 32)
Taktfrequenz 133MHz
Schreibe Zykluszeit - Wort, Seite 15ns
Zugriffszeit 5.4ns
Speicherschnittstelle Parallel
Spannungsversorgung 1.7 V ~ 1.95 V
Betriebstemperatur -25°C ~ 85°C (TC)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall 90-TFBGA
Lieferantengerätepaket 90-VFBGA (8x13)
Gewicht -
Ursprungsland -

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Bild Artikelnummer Hersteller Beschreibung Aussicht
W987D2HBJX6E W987D2HBJX6E Winbond Electronics IC SDRAM 128MBIT 166MHZ 90BGA Einzelheiten
W987D2HBJX6E TR W987D2HBJX6E TR Winbond Electronics IC SDRAM 128MBIT 166MHZ 90BGA Einzelheiten
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