W987D2HBJX7E TR detaillierte Beschreibung
Artikelnummer |
W987D2HBJX7E TR |
Teilstatus |
Active |
Speichertyp |
Volatile |
Speicherformat |
DRAM |
Technologie |
SDRAM - Mobile LPSDR |
Speichergröße |
128Mb (4M x 32) |
Taktfrequenz |
133MHz |
Schreibe Zykluszeit - Wort, Seite |
15ns |
Zugriffszeit |
5.4ns |
Speicherschnittstelle |
Parallel |
Spannungsversorgung |
1.7 V ~ 1.95 V |
Betriebstemperatur |
-25°C ~ 85°C (TC) |
Befestigungsart |
Surface Mount |
Paket / Fall |
90-TFBGA |
Lieferantengerätepaket |
90-VFBGA (8x13) |
Gewicht |
- |
Ursprungsland |
- |
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