VS-36MT120 - Vishay Semiconductor Diodes Division

Numéro d'article	VS-36MT120
État de la pièce	Active
Type de diode	Three Phase
La technologie	Standard
Tension - Peak Reverse (Max)	1200V
Courant - Rectifié moyen (Io)	35A
Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si	-
Courant - Fuite inverse @ Vr	10µA @ 1200V
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	QC Terminal
Paquet / cas	5-Square, D-63
Package de périphérique fournisseur	D-63
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
VS-300CNQ045PBF	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE ARRAY SCHOTTKY 45V TO244	Détails
VS-300MT160C	Vishay Semiconductor Diodes Division	BRIDGE RECT 3P 1.6KV 258A MTC	Détails
VS-300MT180C	Vishay Semiconductor Diodes Division	BRIDGE RECT 3P 1.8KV 258A MTC	Détails
VS-300U10A	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 100V 300A DO205AB	Détails
VS-300U20A	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 200V 300A DO205AB	Détails
VS-300U30A	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 300V 300A DO205AB	Détails
VS-300U40A	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 400V 300A DO205AB	Détails
VS-300U40AM20	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE STD REC 300A DO-9	Détails
VS-300U60A	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 600V 300A DO205AB	Détails
VS-300UR10A	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 100V 300A DO205AB	Détails