VS-36MT120 - Vishay Semiconductor Diodes Division

Artikelnummer	VS-36MT120
Teilstatus	Active
Dioden-Typ	Three Phase
Technologie	Standard
Spannung - Spitzenrücklauf (Max)	1200V
Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io)	35A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If	-
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr	10µA @ 1200V
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	QC Terminal
Paket / Fall	5-Square, D-63
Lieferantengerätepaket	D-63
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
VS-300CNQ045PBF	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE ARRAY SCHOTTKY 45V TO244	Einzelheiten
VS-300MT160C	Vishay Semiconductor Diodes Division	BRIDGE RECT 3P 1.6KV 258A MTC	Einzelheiten
VS-300MT180C	Vishay Semiconductor Diodes Division	BRIDGE RECT 3P 1.8KV 258A MTC	Einzelheiten
VS-300U10A	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 100V 300A DO205AB	Einzelheiten
VS-300U20A	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 200V 300A DO205AB	Einzelheiten
VS-300U30A	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 300V 300A DO205AB	Einzelheiten
VS-300U40A	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 400V 300A DO205AB	Einzelheiten
VS-300U40AM20	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE STD REC 300A DO-9	Einzelheiten
VS-300U60A	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 600V 300A DO205AB	Einzelheiten
VS-300UR10A	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 100V 300A DO205AB	Einzelheiten