VB40100C-M3/8W - Vishay Semiconductor Diodes Division

Numéro d'article	VB40100C-M3/8W
État de la pièce	Active
Configuration de diode	1 Pair Common Cathode
Type de diode	Schottky
Tension - DC Reverse (Vr) (Max)	100V
Courant - Rectifié moyen (Io) (par diode)	20A
Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si	730mV @ 20A
La vitesse	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Temps de récupération inverse (trr)	-
Courant - Fuite inverse @ Vr	1mA @ 100V
Température de fonctionnement - Jonction	-40°C ~ 150°C
Type de montage	Surface Mount
Paquet / cas	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Package de périphérique fournisseur	TO-263AB
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
VB40100C	VISHAY	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.38 V at IF = 5 A	Détails
VB40100C-E3/4W	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V TO263	Détails
VB40100C-E3/8W	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V TO263	Détails
VB40100C-M3/4W	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE SCHOTTKY 40A 100V TO-263AB	Détails
VB40100C-M3/8W	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE SCHOTTKY 40A 100V TO-263AB	Détails
VB40100CHM3/I	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V TO263	Détails
VB40100G	VISHAY	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.42 V at IF = 5 A	Détails
VB40100G-E3/4W	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V TO263	Détails
VB40100G-E3/8W	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V TO263	Détails
VB40120C	VISHAY	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.43 V at IF = 5 A	Détails