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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Dioden - Gleichrichter - Arrays › VB40100C-M3/8W
VB40100C-M3/8W

VB40100C-M3/8W - Vishay Semiconductor Diodes Division

Artikelnummer
VB40100C-M3/8W
Hersteller
Vishay Semiconductor Diodes Division
Kurze Beschreibung
DIODE SCHOTTKY 40A 100V TO-263AB
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
VB40100C-M3/8W PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
-
Kategorie
Dioden - Gleichrichter - Arrays
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
21208 pcs
Referenzpreis
USD 1.2494/pcs
Unser Preis
Senden Sie per E-Mail: [email protected]

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VB40100C-M3/8W detaillierte Beschreibung

Artikelnummer VB40100C-M3/8W
Teilstatus Active
Diodenkonfiguration 1 Pair Common Cathode
Dioden-Typ Schottky
Spannung - DC Reverse (Vr) (Max) 100V
Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode) 20A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 730mV @ 20A
Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Wiederherstellungszeit (trr) -
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr 1mA @ 100V
Betriebstemperatur - Kreuzung -40°C ~ 150°C
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Lieferantengerätepaket TO-263AB
Gewicht -
Ursprungsland -

VERWANDTE PRODUKTE FÜR VB40100C-M3/8W

Bild Artikelnummer Hersteller Beschreibung Aussicht
VB40100C VB40100C VISHAY Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.38 V at IF = 5 A Einzelheiten
VB40100C-E3/4W VB40100C-E3/4W Vishay Semiconductor Diodes Division DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V TO263 Einzelheiten
VB40100C-E3/8W VB40100C-E3/8W Vishay Semiconductor Diodes Division DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V TO263 Einzelheiten
VB40100C-M3/4W VB40100C-M3/4W Vishay Semiconductor Diodes Division DIODE SCHOTTKY 40A 100V TO-263AB Einzelheiten
VB40100C-M3/8W VB40100C-M3/8W Vishay Semiconductor Diodes Division DIODE SCHOTTKY 40A 100V TO-263AB Einzelheiten
VB40100CHM3/I VB40100CHM3/I Vishay Semiconductor Diodes Division DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V TO263 Einzelheiten
VB40100G VB40100G VISHAY Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.42 V at IF = 5 A Einzelheiten
VB40100G-E3/4W VB40100G-E3/4W Vishay Semiconductor Diodes Division DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V TO263 Einzelheiten
VB40100G-E3/8W VB40100G-E3/8W Vishay Semiconductor Diodes Division DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V TO263 Einzelheiten
VB40120C VB40120C VISHAY Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.43 V at IF = 5 A Einzelheiten