VB10170CHM3/I - Vishay Semiconductor Diodes Division

Numéro d'article	VB10170CHM3/I
État de la pièce	Obsolete
Configuration de diode	1 Pair Common Cathode
Type de diode	Schottky
Tension - DC Reverse (Vr) (Max)	170V
Courant - Rectifié moyen (Io) (par diode)	5A
Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si	1.03V @ 5A
La vitesse	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Temps de récupération inverse (trr)	-
Courant - Fuite inverse @ Vr	90µA @ 170V
Température de fonctionnement - Jonction	-40°C ~ 175°C
Type de montage	Surface Mount
Paquet / cas	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Package de périphérique fournisseur	TO-263AB
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
VB10150C	VISHAY	High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.63 V at IF = 3 A	Détails
VB10150C-E3/4W	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE ARRAY SCHOTTKY 150V TO263	Détails
VB10150C-E3/8W	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE ARRAY SCHOTTKY 150V TO263	Détails
VB10150C-M3/4W	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE SCHOTTKY 10A 150V TO-263AB	Détails
VB10150C-M3/8W	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE SCHOTTKY 10A 150V TO-263AB	Détails
VB10150S	VISHAY	High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.59 V at IF = 5 A	Détails
VB10150S-E3/4W	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE SCHOTTKY 150V 10A TO263AB	Détails
VB10150S-E3/8W	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE SCHOTTKY 150V 10A TO263AB	Détails
VB10150S-M3/4W	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE SCHOTTKY 10A 150V TO-263AB	Détails
VB10150S-M3/8W	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE SCHOTTKY 10A 150V TO-263AB	Détails