SQM120N04-1M7_GE3

SQM120N04-1M7_GE3 - Vishay Siliconix

Numéro d'article
SQM120N04-1M7_GE3
Fabricant
Vishay Siliconix
Brève description
MOSFET N-CH 40V 120A TO263
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
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Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Simples
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
13908 pcs
Prix ​​de référence
USD 1.8625/pcs
Notre prix
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SQM120N04-1M7_GE3 Description détaillée

Numéro d'article SQM120N04-1M7_GE3
État de la pièce Active
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 40V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 120A (Tc)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 310nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 17350pF @ 25V
Vgs (Max) ±20V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.7 mOhm @ 30A, 10V
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package de périphérique fournisseur TO-263 (D2Pak)
Paquet / cas TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Poids -
Pays d'origine -

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