SQJ465EP-T1_GE3 - Vishay Siliconix

Numéro d'article	SQJ465EP-T1_GE3
État de la pièce	Active
FET Type	P-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss)	60V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	8A (Tc)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	40nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1140pF @ 30V
Vgs (Max)	±20V
FET Caractéristique	-
Dissipation de puissance (Max)	45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	85 mOhm @ 3.5A, 10V, 1.17 mOhm @ 20A, 10V
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TA)
Type de montage	Surface Mount
Package de périphérique fournisseur	PowerPAK® SO-8
Paquet / cas	PowerPAK® SO-8
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
SQJ460AEP-T1_GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 60V 32A PPAK SO-8	Détails
SQJ461EP-T1_GE3	Vishay Siliconix	MOSFET P-CH 60V 30A	Détails
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SQJ464EP-T1_GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 60V 32A POWERPAKSO-8	Détails
SQJ465EP-T1_GE3	Vishay Siliconix	MOSFET P-CH 60V 8A POWERPAK SO-8	Détails
SQJ469EP-T1_GE3	Vishay Siliconix	MOSFET P-CH 80V 32A PPAK SO-8	Détails