SIHD180N60E-GE3

SIHD180N60E-GE3 - Vishay Siliconix

Numéro d'article
SIHD180N60E-GE3
Fabricant
Vishay Siliconix
Brève description
MOSFET E SERIES 600V DPAK TO-25
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
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Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Simples
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
51775 pcs
Prix ​​de référence
USD 3.18/pcs
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SIHD180N60E-GE3 Description détaillée

Numéro d'article SIHD180N60E-GE3
État de la pièce Active
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 600V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 19A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 195 mOhm @ 9.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 32nC @ 10V
Vgs (Max) ±30V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1080pF @ 100V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 156W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package de périphérique fournisseur TO-252AA
Paquet / cas TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Poids -
Pays d'origine -

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