SIHD180N60E-GE3 - Vishay Siliconix

Número de pieza: SIHD180N60E-GE3
Fabricante: Vishay Siliconix
Breve descripción: MOSFET E SERIES 600V DPAK TO-25
Estado sin plomo / Estado RoHS: Sin plomo / Cumple con RoHS
Vista en línea de la hoja de datos: SIHD180N60E-GE3 Navegación en línea de PDF
Descargar hoja de datos en PDF: -
Categoría: Transistores - FET, MOSFET - Simple
El tiempo de entrega: 1 Day
Código de fecha: New
Cantidad de stock: 51775 pcs
Precio de referencia: USD 3.18/pcs
Nuestro precio: Enviar por correo electrónico: [email protected]

Número de pieza	SIHD180N60E-GE3
Estado de la pieza	Active
Tipo de FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)	600V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	19A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	195 mOhm @ 9.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	32nC @ 10V
Vgs (Max)	±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	1080pF @ 100V
Característica FET	-
Disipación de potencia (Máx)	156W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	TO-252AA
Paquete / caja	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Peso	-
País de origen	-

Número de pieza	Fabricantes	Descripción	Ver
SIHD12N50E-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CHAN 500V DPAK	Detalles
SIHD14N60E-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 600V 13A D-PAK	Detalles
SIHD180N60E-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET E SERIES 600V DPAK TO-25	Detalles
SIHD1K4N60E-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH DPAK TO-252	Detalles