SIA485DJ-T1-GE3

SIA485DJ-T1-GE3 - Vishay Siliconix

Numéro d'article
SIA485DJ-T1-GE3
Fabricant
Vishay Siliconix
Brève description
MOSFET P-CHANNEL 150V 1.6A
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
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Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Simples
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
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726260 pcs
Prix ​​de référence
USD 0.22671/pcs
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SIA485DJ-T1-GE3 Description détaillée

Numéro d'article SIA485DJ-T1-GE3
État de la pièce Active
FET Type P-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 150V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 1.6A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.6 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 6.3nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 155pF @ 75V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 15.6W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package de périphérique fournisseur PowerPAK® SC-70-6 Single
Paquet / cas PowerPAK® SC-70-6
Poids -
Pays d'origine -

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