SIA485DJ-T1-GE3

SIA485DJ-T1-GE3 - Vishay Siliconix

Artikelnummer
SIA485DJ-T1-GE3
Hersteller
Vishay Siliconix
Kurze Beschreibung
MOSFET P-CHANNEL 150V 1.6A
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Kategorie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
726260 pcs
Referenzpreis
USD 0.22671/pcs
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SIA485DJ-T1-GE3 detaillierte Beschreibung

Artikelnummer SIA485DJ-T1-GE3
Teilstatus Active
FET Typ P-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 150V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 1.6A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 2.6 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 6.3nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 155pF @ 75V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 15.6W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerPAK® SC-70-6 Single
Paket / Fall PowerPAK® SC-70-6
Gewicht -
Ursprungsland -

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