SIA436DJ-T1-GE3

SIA436DJ-T1-GE3 - Vishay Siliconix

Numéro d'article
SIA436DJ-T1-GE3
Fabricant
Vishay Siliconix
Brève description
MOSFET N-CH 8V 12A SC70-6L
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
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Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Simples
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
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99422 pcs
Prix ​​de référence
USD 0.2552/pcs
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SIA436DJ-T1-GE3 Description détaillée

Numéro d'article SIA436DJ-T1-GE3
État de la pièce Active
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 8V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 12A (Tc)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 1.2V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 800mV @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 25.2nC @ 5V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1508pF @ 4V
Vgs (Max) ±5V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9.4 mOhm @ 15.7A, 4.5V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package de périphérique fournisseur PowerPAK® SC-70-6 Single
Paquet / cas PowerPAK® SC-70-6
Poids -
Pays d'origine -

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